HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

Анотація

Експериментально досліджено поздовжній та холлівський опори в квантовій ямі телуриду ртуті з інвертованим зонним спектром (d_QW = 20,3 нм), що виміряні в режимі квантового ефекту Холла (КЕХ) в магнітних полях до 9 Тл та інтервалі температур 2,9–50 К. Проаналізовано температурні залежності ширини переходу між плато КЕХ та провідність зі змінною довжиною стрибка в області плато КЕХ. Дані представлено в універсальній скейлінговій формі як в області переходу між плато, так і в режимі стрибкової провідності. Виявлено вирішальну роль великомасштабного випадкового потенціалу (віддалене легування через спейсер) в процесах локалізації–делокализации носіїв заряду в режимі КЕХ в дослідженій системі.