Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.4775752Ключові слова:
квантовый эффект Холла, гипотеза скейлинга, масштаб потенциала.Анотація
Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2012-11-15
Як цитувати
(1)
Арапов, Ю.; Гудина, С.; Неверов, В.; Новокшонов, С.; Клепикова, А.; Харус, Г.; Шелушинина, Н.; Якунин, М. Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 39, 66-75.
Номер
Розділ
Статті