Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
Низкоразмерные и сверхпроводящие системы
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1819860Ключові слова:
PACS: 73.50.Jt, 73.20.–rАнотація
Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix p-типа при ширине слоев Ge более ~ 30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных подслоя, сосредоточенных у противоположных границ слоя. Это следует из исчезновения плато квантового эффекта Холла и соответствующего минимума продольного магнитосопротивления для фактора заполнения n = 1. При этом наблюдается положительное магнитосопротивление, которое мы связываем с наличием двух типов дырок с разными подвижностями. Количественный анализ показывает, что это в основном тяжелые дырки, имеющие разные подвижности в сформировавшихся подслоях. Различие подвижностей указывает на разное качество противоположных гетерограниц слоев Ge. Из анализа вида плато квантового эффекта Холла при n = 2 следует, что концентрации дырок в сформировавшихся подслоях близки, следовательно, профиль потенциальных ям близок к симметричному.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2004-09-21
Як цитувати
(1)
Якунин, М.; Альшанский, Г.; Арапов, Ю.; Неверов, В.; Харус, Г.; Шелушинина, Н.; Кузнецов, О.; Виссер, А. д.; Пономаренко, Л. Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix с помощью гальваномагнитных эффектов: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы. Fiz. Nizk. Temp. 2004, 30, 1139-1145.
Номер
Розділ
Статті