Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
Электронные свойства низкоразмерных систем
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2409652Ключові слова:
двойная квантовая яма, квантовый эффект Холла, наклонные магнитные поля, g-фактор.Анотація
Прецизионное сканирование плоскости (B^, B||) между проекциями магнитного поля перпендикулярно и параллельно слоям двойной квантовой ямы (ДКЯ) n-InxGa1-xAs/GaAs (x ≈ 0,2) при измерениях ее продольного магнитосопротивления (МС) позволяет выявить ряд особенностей, обусловленных сложным энергетическим спектром ДКЯ, на фоне структур, связанных с магнитным пробоем. Траектории, описывающие особенности МС на плоскости (B^, B||), удается полуколичественно описать на основе квазиклассических расчетов квантования энергетического спектра ДКЯ под действием перпендикулярной компоненты поля. Пики, обусловленные магнитным пробоем, усиливаются с ростом полной величины магнитного поля. Наблюдаются их спиновые расщепления, отвечающие эффективной величине фактора Ланде |g*| ≈ 3.
Downloads
Опубліковано
2007-02-05
Як цитувати
(1)
М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, Б.Н. Звонков, and Е.А. Ускова, Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях: Электронные свойства низкоразмерных систем, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 211-216, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2409652.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.