Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.3573665Ключові слова:
полупроводники, примеси переходных элементов, гибридизированные электронные состояния, электронная теплоемкость.Анотація
В температурной зависимости электронной теплоемкости селенида ртути с примесями железа малой концентрации обнаружен аномальный немонотонный вклад, который объясняется проявлением гибридизированных электронных состояний на донорных примесях. Показано, что наблюдаемый эффект описывается теорией электронной теплоемкости, развитой на основе квантового ферми-жидкостного подхода с учетом локализации и межэлектронного взаимодействия. В результате выполненной количественной интерпретации экспериментальных зависимостей определены значения параметров гибридизированных состояний, согласующиеся с уже известными из других экспериментов. Кроме того, найден новый параметр, характеризующий взаимодействие электронов в гибридизированных состояниях.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2011-01-28
Як цитувати
(1)
Окулов, В.; Лончаков, А.; Говоркова, Т.; Окулова, К.; Подгорных, С.; Паранчич, Л.; Паранчич, С. Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента. Fiz. Nizk. Temp. 2011, 37, 281-288.
Номер
Розділ
Статті