Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

Электронные свойства низкоразмерных систем

Автор(и)

  • Ю.Г. Арапов Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Б.Н. Звонков Научно-исследовательский физико-технический институт при ННГУ, г. Нижний Новгород, 603600, Россия
  • С.М. Подгорных Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Н.Г. Шелушинина Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Г.И. Харус Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • В.Н. Неверов Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • И.В. Карсканов Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • С.В. Гудина Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • М.В. Якунин Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Е.А. Ускова Научно-исследовательский физико-технический институт при ННГУ, г. Нижний Новгород, 603600, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2409653

Ключові слова:

двойные квантовые ямы, магнитотранспортные эффекты, электронные переходы.

Анотація

В двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs (x ≈ 0,2 ) температурные зависимости продольного сопротивления rxx (Т) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл-диэлектрик В = 0 имеют "диэлектрический" характер в интервале температур T = 1,8-70 К (kBTt / ħ = 0,2-3,8). Аномальная температурная зависимость sху (В, Т) в области wс t = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых магнитных полях.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2007-02-05

Як цитувати

(1)
Арапов, Ю.; Звонков, Б.; Подгорных, С.; Шелушинина, Н.; Харус, Г.; Неверов, В.; Карсканов, И.; Гудина, С.; Якунин, М.; Ускова, Е. Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами: Электронные свойства низкоразмерных систем. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 217-221.

Номер

Том 33 № 2-3 (2007)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>