Эффект Яна-Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn1-xМxSe
Структура и свойства полупроводников с переходными элементами
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.2719956Ключові слова:
полупроводники, рассеяние нейтронов, теплоемкость.Анотація
Методом дифракции тепловых нейтронов исследовано структурное состояние полупроводников Zn1-xNixSe (х = 0,0025), Zn1-xCrxSe (х = 0,0029). Обнаружены крупномасштабные сдвиговые смещения атомов решетки ZnSe, которые, как предполагается, индуцируются янтеллеровскими ионами Cr2+ и Ni2+. Представлены результаты исследования примесной теплоемкости твердых растворов Zn1-xMxSe (M = Cr2+, Ni2+) в интервале температур 1,8-20 К. Описан и применен теплоемкостный метод для определения энергии внутрицентровых переходов в этих системах. Обсуждается роль эффекта Яна-Теллера в формировании низкоэнергетических возбужденных состояний 3d-ионов в ZnSe.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2007-02-05
Як цитувати
(1)
Соколов, В.; Лончаков, А.; Подгорных, С.; Дубинин, С.; Теплоухов, С.; Пархоменко, В.; Груздев, Н. Эффект Яна-Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn1-xМxSe: Структура и свойства полупроводников с переходными элементами. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 276-281.
Номер
Розділ
Статті