Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников
Структура и свойства полупроводников с переходными элементами
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.2719957Ключові слова:
примеси переходных элементов, магнитная восприимчивость, электронная теплопроводность, электронное поглощение звука.Анотація
Изложены новые результаты исследований явлений, обусловленных существованием электронных резонансных энергетических уровней и гибридизированных состояний на примесях переходных элементов в полупроводниках. Приведены экспериментальные данные, демонстрирующие существование резонансных аномалий, связанных с влиянием примесей, в теплопроводности и ультразвуковых параметрах селенида ртути с примесями железа. Изложена детальная согласованная интерпретация совокупности наблюдавшихся эффектов гибридизированных состояний в селениде ртути с примесями железа. Обсуждается предлагаемая интерпретация данных, полученных на других системах.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2007-02-05
Як цитувати
(1)
Окулов, В.; Говоркова, Т.; Гудков, В.; Жевстовских, И.; Королев, А.; Лончаков, А.; Окулова, К.; Памятных, Е.; Паранчич, С. Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников: Структура и свойства полупроводников с переходными элементами. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 282-290.
Номер
Розділ
Статті