Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.4775751Ключові слова:
квантовое время жизни, квазидвумерный электронный газ, неупругое электронэлектронное рассеяние, диффузионный и баллистический режимы, резонансное туннелирование.Анотація
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К. Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового времени жизни в диффузионном (kBT/τtr << 1) и баллистическом (kBT/τtr >> 1) режимах. Установлено, что в баллистическом режиме в интервале температур, где kBT/EF < 0,1, наблюдаемая квадратичная температурная зависимость квантового времени жизни определяется неупругим электрон-электронным рассеянием. Однако полученная зависимость во всем диапазоне температур существующими теориями количественно не описывается.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
![](https://fnt.ilt.kharkiv.ua/public/journals/1/submission_39_58_en_US.png)
Downloads
Опубліковано
2012-11-15
Як цитувати
(1)
Арапов, Ю.; Гудина, С.; Неверов, В.; Подгорных, С.; Якунин, М. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs C двойными сильно связанными квантовыми ямами. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 39, 58-65.
Номер
Розділ
Статті