Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.4908192%20Ключові слова:
квантовый эффект Холла, гипотеза скейлинга, масштаб примесного потенциала.Анотація
Экспериментально исследованы продольное rxx(B,T) и холловское rxy(B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,4–4,2 К до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато квантового эффекта Холла на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2014-12-18
Як цитувати
(1)
Арапов, Ю.; Гудина, С.; Клепикова, А.; Неверов, В.; Харус, Г.; Шелушинина, Н.; Якунин, М. Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки. Fiz. Nizk. Temp. 2014, 41, 139-146.
Номер
Розділ
Статті