Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла

Анотація

Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в баллистическом режиме, а также влияние спиновых и осцилляционных эффектов учтены путем перенормировки транспортного времени релаксации импульса электронов, что привело к появлению зависимости друдевской проводимости от температуры. Расчет компонент тензоров проводимости и сопротивления проведен с использованием теоретических значений параметров теории квантовых поправок, определяемых только значениями концентрации и подвижности конкретного образца. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными результатами для 2D-структуры n-InGaAs/GaAs c двойными квантовыми ямами. Показано, что учет только квантовых поправок с теоретическими значениями параметров не позволяет даже качественно описать эксперимент, поэтому необходимо учитывать дополнительные, зависящие от температуры, вклады в друдевскую проводимость.