Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix
Электронные свойства низкоразмерных систем
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2409654Ключові слова:
электрон-электронное взаимодействие, слабая локализация, зеемановское расщепление,Анотація
Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤ 2 Тл при фиксированных температурах 0,2K ≤ T ≤ 4,2 K. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы tj ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри F0s=-0,51, амплитуда фермижидкостного взаимодействия l= 0,40, фактор Ланде g = 12,0.
Downloads
Опубліковано
2007-02-05
Як цитувати
(1)
Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, and Н.Г. Шелушинина, Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix: Электронные свойства низкоразмерных систем, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 222-227, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2409654.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.