Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix в области перехода металл-диэлектрик
Низкоразмерные и сверхпроводящие системы
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1819865Ключові слова:
PACS: 71.30. h, 73.21.AcАнотація
В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge1-xSix) с проводимостью s ≈ e2/h при низких температурах (T ≈ 1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (ds/dT > 0) к "металлическому" (ds/dT < 0) поведению в качественном соответствии с предсказаниями теории Финкельнштейна. В перпендикулярном к плоскости 2D-слоя магнитном поле В наблюдается положительное магнитосопротивление (ПМС), зависящее лишь от отношения B/T. Мы связываем эффект ПМС с подавлением триплетного канала фермижидкостного электрон-электронного взаимодействия магнитным полем вследствие сильного зеемановского расщепления уровней энергии дырок.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2004-09-21
Як цитувати
(1)
Арапов, Ю.; Неверов, В.; Харус, Г.; Шелушинина, Н.; Якунин, М.; Кузнецов, О.; Пономаренко, Л.; Виссер, А. д. Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур P-Ge/Ge1-xSix в области перехода металл-диэлектрик: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы. Fiz. Nizk. Temp. 2004, 30, 1157-1161.
Номер
Розділ
Статті