Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix в области перехода металл-диэлектрик
Низкоразмерные и сверхпроводящие системы
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1819865
Ключові слова:
PACS: 71.30. h, 73.21.AcАнотація
В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge1-xSix) с проводимостью s ≈ e2/h при низких температурах (T ≈ 1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (ds/dT > 0) к "металлическому" (ds/dT < 0) поведению в качественном соответствии с предсказаниями теории Финкельнштейна. В перпендикулярном к плоскости 2D-слоя магнитном поле В наблюдается положительное магнитосопротивление (ПМС), зависящее лишь от отношения B/T. Мы связываем эффект ПМС с подавлением триплетного канала фермижидкостного электрон-электронного взаимодействия магнитным полем вследствие сильного зеемановского расщепления уровней энергии дырок.
Downloads
Опубліковано
2004-09-21
Як цитувати
(1)
Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, О.А. Кузнецов, Л. Пономаренко, and А. де Виссер, Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix в области перехода металл-диэлектрик: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы, Low Temp. Phys. 30, (2004) [Fiz. Nizk. Temp. 30, 1157-1161, (2004)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1819865.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.