Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка

Автор(и)

  • Г.В. Лашкарев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.А. Карпина Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • Л.И. Овсянникова Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.В. Картузов Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • Н.В. Дранчук Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • М. Годлевский Институт физики ПАН, ал. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • Р. Петрушка Институт физики ПАН, ал. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • В.B. Хомяк Черновицкий национальный университет, ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58012, Украина
  • Л.И. Петросян Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4984077

Ключові слова:

оксид цинка, прозрачные проводящие оксиды, донорная примесь, легирование.

Анотація

Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77–300 К, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1–7 ат.% алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.

Downloads

Опубліковано

2017-02-20

Як цитувати

(1)
Г.В. Лашкарев, В.А. Карпина, Л.И. Овсянникова, В.В. Картузов, Н.В. Дранчук, М. Годлевский, Р. Петрушка, Хомяк В.B., and Л.И. Петросян, Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка, Low Temp. Phys. 43, (2017) [Fiz. Nizk. Temp. 43, 643-648, (2017)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4984077.

Номер

Том 43 № 4 (2017)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають