Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка

Автор(и)

  • Г.В. Лашкарев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.А. Карпина Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • Л.И. Овсянникова Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.В. Картузов Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • Н.В. Дранчук Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • М. Годлевский Институт физики ПАН, ал. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • Р. Петрушка Институт физики ПАН, ал. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • В.B. Хомяк Черновицкий национальный университет, ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58012, Украина
  • Л.И. Петросян Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4984077

Ключові слова:

оксид цинка, прозрачные проводящие оксиды, донорная примесь, легирование.

Анотація

Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77–300 К, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1–7 ат.% алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2017-02-20

Як цитувати

(1)
Лашкарев, Г.; Карпина, В.; Овсянникова, Л.; Картузов, В.; Дранчук, Н.; Годлевский, М.; Петрушка, Р.; Хомяк, В.; Петросян, Л. Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка. Fiz. Nizk. Temp. 2017, 43, 643-648.

Номер

Том 43 № 4 (2017)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають