Свойства оксида цинка при низких и средних температурах
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.3574502Ключові слова:
ZnO, пленки, наноструктуры, полевая эмиссия, фоточувствительность.Анотація
Рассмотрены свойства оксида цинка как аналога нитрида галлия в широком диапазоне температур и области его перспективных применений. Отмечены экономические и экологические преимущества, а также радиационная стойкость ZnO по сравнению с нитридами III группы. Предложены способы выращивания пленок и наноструктур с высоким совершенством кристаллической структуры. В частности, реализован магнетронный метод послойного роста пленок, позволяющий достичь их высокого структурного совершенства и значительных толщин, недоступных для некоторых других методов. Показана возможность получения монохроматического УФ излучения при возбуждении пленок коротковолновым излучением и электронами, что дает возможность использовать их в источниках коротковолнового излучения. Продемонстрирована эффективная полевая эмиссия наноструктур и пленок ZnO, открывающая перспективу их применения в устройствах вакуумной микроэлектроники. На основе пленок ZnO, легированных азотом, изготовлен, в частности, фототранзистор, позволяющий увеличить фоточувствительность на два порядка по сравнению с обычными детекторами. Рассмотрены физические основы создания светодиодов разного цвета свечения на основе пленок оксида цинка и его твердых растворов с СdO. Отмечена важность исследований физики и технологии приборов на основе оксида цинка.
Downloads
Опубліковано
2011-01-28
Як цитувати
(1)
Г.В. Лашкарев, В.А. Карпина, В.И. Лазоренко, А.И. Евтушенко, И.И. Штеплюк, and В.Д. Храновский, Свойства оксида цинка при низких и средних температурах, Low Temp. Phys. 37, (2011) [Fiz. Nizk. Temp. 37, 289-300, (2011)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3574502.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.