Свойства оксида цинка при низких и средних температурах

Автор(и)

  • Г.В. Лашкарев Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.А. Карпина Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Лазоренко Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • А.И. Евтушенко Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • И.И. Штеплюк Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.Д. Храновский Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3574502

Ключові слова:

ZnO, пленки, наноструктуры, полевая эмиссия, фоточувствительность.

Анотація

Рассмотрены свойства оксида цинка как аналога нитрида галлия в широком диапазоне температур и области его перспективных применений. Отмечены экономические и экологические преимущества, а также радиационная стойкость ZnO по сравнению с нитридами III группы. Предложены способы выращивания пленок и наноструктур с высоким совершенством кристаллической структуры. В частности, реализован магнетронный метод послойного роста пленок, позволяющий достичь их высокого структурного совершенства и значительных толщин, недоступных для некоторых других методов. Показана возможность получения монохроматического УФ излучения при возбуждении пленок коротковолновым излучением и электронами, что дает возможность использовать их в источниках коротковолнового излучения. Продемонстрирована эффективная полевая эмиссия наноструктур и пленок ZnO, открывающая перспективу их применения в устройствах вакуумной микроэлектроники. На основе пленок ZnO, легированных азотом, изготовлен, в частности, фототранзистор, позволяющий увеличить фоточувствительность на два порядка по сравнению с обычными детекторами. Рассмотрены физические основы создания светодиодов разного цвета свечения на основе пленок оксида цинка и его твердых растворов с СdO. Отмечена важность исследований физики и технологии приборов на основе оксида цинка.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2011-01-28

Як цитувати

(1)
Лашкарев, Г.; Карпина, В.; Лазоренко, В.; Евтушенко, А.; Штеплюк, И.; Храновский, В. Свойства оксида цинка при низких и средних температурах. Fiz. Nizk. Temp. 2011, 37, 289-300.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають