Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой

Автор(и)

  • Г.В. Лашкарев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Лазоренко Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • А.И. Дмитриев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • Л.А. Крушинская Институт электросварки им. Е.О. Патона НАН Украины, ул. Антоновича, 68, г. Киев, Украина
  • Я.А. Стельмах Институт электросварки им. Е.О. Патона НАН Украины, ул. Антоновича, 68, г. Киев, Украина
  • Т. Стори Институт физики ПАН, ал. Лотникув, 32/46, Варшава, Польша
  • В. Кнофф Институт физики ПАН, ал. Лотникув, 32/46, Варшава, Польша
  • М.Э. Бугаева Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • М.В. Радченко Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Сичковский Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4776232

Ключові слова:

ферромагнитные нанокомпозиты, ферромагнитные наночастицы, порог перколяции, спин-зависимое туннелирование, гигантский магниторезистивный эффект.

Анотація

Рассмотрены физические свойства ферромагнитных магниторазведенных полупроводников и нанокомпозитов в широком интервале температур 5–300 К. Последние имеют ряд преимуществ как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой для датчиков слабых магнитных полей. Характерной особенностью ферромагнитных нанокомпозитов является наличие туннельной спин-зависимой проводимости, приводящей к появлению отрицательного и положительного магнитосопротивления. Рассмотренные магниторезистивные эффекты имеют широкий спектр применения. В частности, на основе материалов, в которых наблюдаются такие эффекты, могут быть созданы магниторезистивные запоминающие устройства, сенсоры слабых магнитных полей, медицинские диагностические устройства и другие элементы электронной техники.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2012-11-14

Як цитувати

(1)
Лашкарев, Г.; Лазоренко, В.; Дмитриев, А.; Крушинская, Л.; Стельмах, Я.; Стори, Т.; Кнофф, В.; Бугаева, М.; Радченко, М.; Сичковский, В. Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 39, 86-97.

Номер

Том 39 № 1 (2013)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>