Анизотропия нормального электросопротивления и подавление сверхпроводимости на двойниковых границах в монокристаллах HoВа2Сu3О7-d с различным содержанием кислорода

Автор(и)

  • Р.В. Вовк Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • М.А. Оболенский Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • А.А. Завгородний Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • А.В. Бондаренко Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • М.Г. Ревякина Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2737548

Ключові слова:

монокристаллы HoВа2Сu3О7-d, анизотропия проводимости, двойниковые границы, прыжковая проводимость.

Анотація

Исследованы температурные зависимости продольной и поперечной проводимости монокристаллов HoВа2Сu3О7-d с различным содержанием кислорода. Показано, что двойниковые границы являются эффективными центрами рассеяния нормальных носителей и подавления сверхпроводящего состояния. Обнаружено, что анизотропия нормального электросопротивления rс/rab(T) хорошо описывается в рамках универсального "закона 1/2" для термоактивационной прыжковой проводимости.

Опубліковано

2007-03-26

Як цитувати

(1)
Р.В. Вовк, М.А. Оболенский, А.А. Завгородний, А.В. Бондаренко, and М.Г. Ревякина, Анизотропия нормального электросопротивления и подавление сверхпроводимости на двойниковых границах в монокристаллах HoВа2Сu3О7-d с различным содержанием кислорода, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 546-551, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2737548.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Завантаження

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 > >>