Анизотропия нормального электросопротивления и подавление сверхпроводимости на двойниковых границах в монокристаллах HoВа2Сu3О7-d с различным содержанием кислорода

Автор(и)

  • Р.В. Вовк Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • М.А. Оболенский Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • А.А. Завгородний Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • А.В. Бондаренко Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • М.Г. Ревякина Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2737548

Ключові слова:

монокристаллы HoВа2Сu3О7-d, анизотропия проводимости, двойниковые границы, прыжковая проводимость.

Анотація

Исследованы температурные зависимости продольной и поперечной проводимости монокристаллов HoВа2Сu3О7-d с различным содержанием кислорода. Показано, что двойниковые границы являются эффективными центрами рассеяния нормальных носителей и подавления сверхпроводящего состояния. Обнаружено, что анизотропия нормального электросопротивления rс/rab(T) хорошо описывается в рамках универсального "закона 1/2" для термоактивационной прыжковой проводимости.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2007-03-26

Як цитувати

(1)
Вовк, Р.; Оболенский, М.; Завгородний, А.; Бондаренко, А.; Ревякина, М. Анизотропия нормального электросопротивления и подавление сверхпроводимости на двойниковых границах в монокристаллах HoВа2Сu3О7-d с различным содержанием кислорода. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 546-551.

Номер

Том 33 № 5 (2007)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна