Эволюция псевдощелевого состояния в слабодопированных празеодимом монокристаллах Y1-zPrzBa2Cu3O7- d с заданной топологией плоских дефектов
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2400687Ключові слова:
допирование, монокристаллы Y-Ba-Cu-O, псевдощелевое состояние, кроссовер, длина когерентности.Анотація
Исследована проводимость в базисной плоскости монокристаллов Y-Вa-Cu-O и Y1-zPrzBa2Cu3O7-d с системой однонаправленных двойниковых границ. Показано, что частичная замена Y на Pr приводит к образованию двух сверхпроводящих фаз с различными критическими температурами. Примеси Pr являются эффективными центрами рассеяния нормальных и флуктуационных носителей. При этом слабое (до z ≈ 0,05) допирование празеодимом монокристаллов Y-Ba-Cu-O способствует значительному сужению температурного интервала реализации псевдощелевого состояния в ab-плоскости.
Downloads
Опубліковано
2006-10-25
Як цитувати
(1)
М.А. Оболенский, Р.В. Вовк, and А.В. Бондаренко, Эволюция псевдощелевого состояния в слабодопированных празеодимом монокристаллах Y1-zPrzBa2Cu3O7- d с заданной топологией плоских дефектов, Low Temp. Phys. 32, (2006) [Fiz. Nizk. Temp. 32, 1488-1492, (2006)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2400687.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.