Эволюция псевдощелевого состояния в слабодопированных празеодимом монокристаллах Y1-zPrzBa2Cu3O7- d с заданной топологией плоских дефектов

Автор(и)

  • М.А. Оболенский Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • Р.В. Вовк Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • А.В. Бондаренко Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2400687

Ключові слова:

допирование, монокристаллы Y-Ba-Cu-O, псевдощелевое состояние, кроссовер, длина когерентности.

Анотація

Исследована проводимость в базисной плоскости монокристаллов Y-Вa-Cu-O и Y1-zPrzBa2Cu3O7-d с системой однонаправленных двойниковых границ. Показано, что частичная замена Y на Pr приводит к образованию двух сверхпроводящих фаз с различными критическими температурами. Примеси Pr являются эффективными центрами рассеяния нормальных и флуктуационных носителей. При этом слабое (до z ≈ 0,05) допирование празеодимом монокристаллов Y-Ba-Cu-O способствует значительному сужению температурного интервала реализации псевдощелевого состояния в ab-плоскости.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2006-10-25

Як цитувати

(1)
Оболенский, М.; Вовк, Р.; Бондаренко, А. Эволюция псевдощелевого состояния в слабодопированных празеодимом монокристаллах Y1-zPrzBa2Cu3O7- d с заданной топологией плоских дефектов. Fiz. Nizk. Temp. 2006, 32, 1488-1492.

Номер

Том 32 № 12 (2006)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна