Deep state in the bandgap and photoluminescence of Zn1–xMnxO
DOI:
https://doi.org/10.1063/10.0002895Ключові слова:
photoluminescence, ZnO:Mn, impurity photoionization, intracenter transitions.Анотація
Домішкове поглинання в Zn1–xMnxO формується дозволеними в дипольному наближенні p–s-переходами з глибокого антизв’язувального d–p гібридного (pdh) стану в зону провідності. Досліджено фотолюмінесценцію монокристалів Zn1–xMnxO в діапазоні температур 7–340 K при лазерному збудженні 3,06 еВ. Спостерігалася інтенсивна смуга фотолюмінесценції в області енергій 2,40–1,6 eВ з максимумом 2,17eВ. Визначено енергію іонізації домішкового центра 2,35eВ. Аналіз форми смуги фотолюмінесценції, а також близький збіг головної лінії цієї смуги і краю домішкового поглинання дозволяють однозначно інтерпретувати цю смугу як результат випромінювальних дипольно дозволених s–p-переходів із зони провідності на домішковий pdh-рівень.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2020-11-18
Як цитувати
(1)
Sokolov, V.; Gruzdev, N. B.; Churmanov, V. N.; Menshenin, V. V.; Emelchenko, G. A. Deep State in the Bandgap and Photoluminescence of Zn1–xMnxO. Fiz. Nizk. Temp. 2020, 47, 38-45.
Номер
Розділ
Статті