Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.4775748Ключові слова:
полупроводники A4B6, примеси переходных металлов, гальваномагнитные эффекты, осцилляции Шубникова-де Гааза, глубокий уровень ванадия, переход диэлектрик-металл, электронная структура.Анотація
Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях (4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb1–x–ySnxVyTe (x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ванадия. Показано, что увеличение содержания ванадия приводит к появлению областей с повышенным содержанием ванадия и микроскопических включений соединений, близких по составу к V3Te4. В Pb1–yVyTe обнаружены стабилизация уровня Ферми глубоким уровнем ванадия, переход диэлектрик–металл и увеличение концентрации свободных электронов с ростом содержания ванадия. Сопоставляется кинетика изменения концентрации свободных носителей заряда при увеличении концентрации примеси ванадия в Pb1–yVyTe и сплавах Pb1–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обсуждаются возможные модели перестройки электронной структуры сплавов Pb1–x–ySnxVyTe при легировании.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2012-11-28
Як цитувати
(1)
Скипетров, Е.; Голованов, А.; Слынько, Е.; Слынько, В. Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 39, 98-108.
Номер
Розділ
Статті