Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A4B6 с помощью давления
Ключові слова:

Downloads
Опубліковано
1996-08-10
Як цитувати
(1)
Брандт, Н.; Скипетров, Е. Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A4B6 с помощью давления:. Fiz. Nizk. Temp. 1996, 22, 870-891.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.