Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.3266913Ключові слова:
широкая сверхпроводящая пленка, линия проскальзывания фазы, микроволновое облучение.Анотація
Экспериментально исследовано влияние высокочастотного электромагнитного поля на резистивное состояние широкой пленки, обусловленное протеканием постоянного тока. В этой ситуации резистивность возникает как следствие развития двух процессов: движения пирл-абрикосовских вихрей собственного магнитного поля тока и проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка. Показано, что под действием микроволнового облучения резистивность пленки, обусловленная вихревым механизмом, уменьшается и при больших уровнях мощности (Р > 0,4Рс) исчезает, при этом dc резистивность пленки обусловлена только процессами проскальзывания фазы, как в узких безвихревых каналах. Экспериментально установлено, что начиная с некоторого уровня мощности Р* < Рс электромагнитное поле играет определяющую роль в процессах возникновения линий проскальзывания фазы. Аналогичный вывод сделан и при исследовании влияния микроволнового поля на дифференциальное сопротивление центра проскальзывания фазы в узких безвихревых каналах, что говорит о единой природе процессов проскальзывания фазы в широких и узких пленках.
Downloads
Опубліковано
2009-10-29
Як цитувати
(1)
В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский, and Т.В. Саленкова, Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, Low Temp. Phys. 35, (2009) [Fiz. Nizk. Temp. 35, 1089-1095, (2009)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3266913.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.