Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB2 в диапазоне частот 0-110 МГц и интервале температур 5-300 К

Анотація

В интервале температур 5-300 К определены структура и удельное электросопротивление поликристаллического MgB₂. В этом же интервале температур исследован его импеданс для частот 9-110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия сверхпроводящей фазы MgB₂ остаются неизменными. В области температуры сверхпроводящего перехода T_c = 39,5 К наблюдается структурная неустойчивость, которая сопровождается разбросом измеряемых параметров решетки. Сделан вывод о существенно анизотропном характере деформации кристаллов при изменении температуры. При измерениях температурной и частотной зависимостей поверхностного сопротивления R_s(T,f) в сверхпроводящем состоянии обнаружен переход от пиппардовского нелокального предела при Т << Т_c к лондоновскому локальному пределу вблизи Т_c. При Т/Т_c < 0,76 величина R_s (Т) хорошо описывается экспоненциальной зависимостью exp (-D(Т)/kТ) в соответствии с теорией БКШ.