Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.3132743Ключові слова:
широкая сверхпроводящая пленка, ас линия проскальзывания фазы.Анотація
Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторой критической Рс, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пропускании пробного постоянного тока намного меньше критического такое состояние пленки оказывается резистивным, что проявляется в виде линейных начальных участков вольт-амперных характаристик (ВАХ), отражающих падение напряжения на ас ЛПФ. Показано, что при монотонном изменении мощности электромагнитного облучения наклон линейных участков ВАХ изменяется дискретно и кратно сопротивлению одной ас ЛПФ, возникающей при мощности равной Pc.
Downloads
Опубліковано
2009-03-20
Як цитувати
(1)
В.М. Дмитриев and И.В. Золочевский, Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем, Low Temp. Phys. 35, (2009) [Fiz. Nizk. Temp. 35, 475-478, (2009)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3132743.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.