Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB2

Автор(и)

  • В.В. Фисун Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Л.Ю. Трипутень Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • И.К. Янсон Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2126943

Ключові слова:

PACS: 74.70.Ad, 72.10.Di, 73.40.Jn, 74.25.Kc

Анотація

Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB2 и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном ( T ≥ Tc ) и сверхпроводящем ( T< Tc ) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20-30 мВ в виде широкого пика или размытого излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB2. В сверхпроводящем состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низко частотного пика.

Downloads

Опубліковано

2005-08-22

Як цитувати

(1)
В.В. Фисун, Л.Ю. Трипутень, and И.К. Янсон, Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB2, Low Temp. Phys. 31, (2005) [Fiz. Nizk. Temp. 31, 1104-1109, (2005)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2126943.

Номер

Том 31 № 10 (2005)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>