Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB2

Анотація

Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном ( T ≥ T_c ) и сверхпроводящем ( T< T_c ) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20-30 мВ в виде широкого пика или размытого излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB₂. В сверхпроводящем состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низко частотного пика.