Влияние света на фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик-ферромагнитный металл в тонких пленках Pr0,6La0,1Ca0,3MnO3

Анотація

Исследовано влияние светового облучения на магнитные и транспортные свойства эпитаксиальных тонких пленок манганита Pr_0,6La_0,1Ca_0,3MnO₃. Обнаружено, что облучение пленок светом He-Ne лазера приводит к увеличению их намагниченности и уменьшению электрического сопротивления, стимулируя фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик-ферромагнитный металл, наблюдаемый в этом кристалле в магнитном поле при низких температурах. Показано, что поле фазового перехода заметно уменьшается после облучения пленок светом. Сделан вывод о том, что световое облучение вызывает образование и рост ферромагнитных металлических кластеров внутри антиферромагнитной диэлектрической фазы. Механизм воздействия света на магнитное и электрическое состояния манганита Pr_0,6La_0,1Ca_0,3MnO₃ может быть связан с фотоиндуцированным переносом электронов с ионов Mn³⁺ на ионы Mn⁴⁺, что приводит к плавлению зарядового упорядочения, имеющего место в исследуемом манганите в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии, и вызывает переход кристалла в ферромагнитную металлическую фазу.