Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
Ключові слова:
слабая локализация, положительное магнитосопротивление, ZnO:Co, прыжковая проводимость, тонкие пленки ZnO, In2O3:Sn.Анотація
Электрические и гальваномагнитные свойства нелегированных и легированных галлием, алюминием и кобальтом пленок оксида цинка и пленок оксида индия, легированного оловом, исследованы в широком диапазоне температур и магнитных полей. Показано, что механизм переноса электронов в пленках изменяется от зонного до прыжкового при уменьшении степени кристалличности пленок, обусловленной методом и условиями синтеза. Для пленок с зонным механизмом переноса электронов при низких температурах исследовано изменение размерности пленок по отношению к явлению слабой локализации, вызванное действием магнитного поля. Для пленок с прыжковым механизмом переноса электронов получены оценки радиуса локализации и плотности электронных состояний на уровне Ферми.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2014-12-29
Як цитувати
(1)
Кульбачинский, В.; Кытин, В.; Реукова, О.; Бурова, Л.; Кауль, А.; Ульяшин, А. Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия. Fiz. Nizk. Temp. 2014, 41, 153-164.
Номер
Розділ
Статті