Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия

Автор(и)

  • В.А. Кульбачинский Физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119991, Россия
  • В.Г. Кытин Физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119991, Россия
  • О.В. Реукова Физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119991, Россия
  • Л.И. Бурова Химический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119991, Россия
  • А.Р. Кауль Химический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119991, Россия
  • А.Г. Ульяшин SINTEF Materials and Chemistry, Box 124 Blindern, Oslo 0314, Norway

Ключові слова:

слабая локализация, положительное магнитосопротивление, ZnO:Co, прыжковая проводимость, тонкие пленки ZnO, In2O3:Sn.

Анотація

Электрические и гальваномагнитные свойства нелегированных и легированных галлием, алюминием и кобальтом пленок оксида цинка и пленок оксида индия, легированного оловом, исследованы в широком диапазоне температур и магнитных полей. Показано, что механизм переноса электронов в пленках изменяется от зонного до прыжкового при уменьшении степени кристалличности пленок, обусловленной методом и условиями синтеза. Для пленок с зонным механизмом переноса электронов при низких температурах исследовано изменение размерности пленок по отношению к явлению слабой локализации, вызванное действием магнитного поля. Для пленок с прыжковым механизмом переноса электронов получены оценки радиуса локализации и плотности электронных состояний на уровне Ферми.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2014-12-29

Як цитувати

(1)
Кульбачинский, В.; Кытин, В.; Реукова, О.; Бурова, Л.; Кауль, А.; Ульяшин, А. Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия. Fiz. Nizk. Temp. 2014, 41, 153-164.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають