Hysteresis phenomena in Cd2P2S6 layered crystals

Анотація

Представлено результати дослідження температурної залежності діелектричної проникності кристалів Cd₂P₂S₆. Показано, що в інтервалі температур 80–420 К існують три області, в яких спостерігаються явища гістерезису. При високих температурах (Т > 320 К) відбувається активаційна зміна діелектричних втрат, пов’язана зі збільшенням провідності кристалів Cd₂P₂S₆. Перехід від нагрівання до охолодження призводить до зменшення втрат, що проявляється у вигляді гістерезису діелектричної проникності. Стрибкоподібна зміна діелектричної проникності спостерігається при 228 К в режимі охолодження і 265 К в режимі нагрівання, що пов’язано з фазовим переходом першого роду в цих кристалах. Третя область гістерезису з’являється при низьких температурах 80–90 К. При циклічній зміні температури в цьому інтервалі спостерігається класична гістерезисна поведінка зі зменшенням як амплітудного, так і температурного діапазону з кожним циклом. Причина такої поведінки буде предметом подальших досліджень.