Low-temperature anomalies of the dielectric permeability of Sn2P2S6 crystals

Автор(и)

  • H. Ban Department of the Physics of Semiconductors, Uzhhorod National University, Uzhhorod 88000, Ukraine
  • D. Gal Department of the Physics of Semiconductors, Uzhhorod National University, Uzhhorod 88000, Ukraine
  • A. Kohutych Department of the Physics of Semiconductors, Uzhhorod National University, Uzhhorod 88000, Ukraine
  • A. Molnar Department of the Physics of Semiconductors, Uzhhorod National University, Uzhhorod 88000, Ukraine

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0023893

Ключові слова:

ferroelectrics, dielectric relaxation, domain structure, luminescence, polarons

Анотація

Досліджено низькотемпературні аномалії діелектричної проникності кристалів Sn2P2S6. Показано, що ці явища мають релаксаційний характер і спостережувані аномалії можуть бути пов’язані з динамікою діркових поляронів малого радіуса та процесами донорно-акцепторної компенсації в ґратці з вакансіями олова та сірки. Для підтвердження цього досліджено діелектричні властивості кристалів, збагачених оловом і сіркою. Показано, що відхилення від стехіометрії призводить до суттєвої зміни низькотемпературних аномалій діелектричних втрат.

Downloads

Опубліковано

2024-01-21

Як цитувати

(1)
H. Ban, D. Gal, A. Kohutych, and A. Molnar, Low-temperature anomalies of the dielectric permeability of Sn2P2S6 crystals, Low Temp. Phys. 50, 56–65, (2024) [Fiz. Nyzk. Temp. 50, 59–69, (2024)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0023893.

Номер

Том 50 № 1 (2024)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.