Low-temperature anomalies of the dielectric permeability of Sn2P2S6 crystals
DOI:
https://doi.org/10.1063/10.0023893Ключові слова:
ferroelectrics, dielectric relaxation, domain structure, luminescence, polaronsАнотація
Досліджено низькотемпературні аномалії діелектричної проникності кристалів Sn2P2S6. Показано, що ці явища мають релаксаційний характер і спостережувані аномалії можуть бути пов’язані з динамікою діркових поляронів малого радіуса та процесами донорно-акцепторної компенсації в ґратці з вакансіями олова та сірки. Для підтвердження цього досліджено діелектричні властивості кристалів, збагачених оловом і сіркою. Показано, що відхилення від стехіометрії призводить до суттєвої зміни низькотемпературних аномалій діелектричних втрат.