Superconductivity in hole-doped germanium point contacts

Анотація

Надпровідність в сильно p-допованому Ge досліджено шляхом вимірювання диференціального опору dV/dI(V) мікроконтактів Ge–PtIr. Надпровідні особливості зникають вище температури 6 К або в магнітному полі вище 1 Тл, що можна сприймати як критичну температуру та критичне магнітне поле. Спостережений dV/dI(V) спектр з ознаками, подібними до тих, що спостерігаються в андріївському відбитті, описується в межах однощілинної моделі Блондера–Тінкхама– Клапвіка. Поведінка температурної залежності надпровідної щілини відповідає моделі Бардіна–Купера–Шріфера для звичайних надпровідників, при цьому співвідношення 2Δ/k_BT_c = = 10.5 ± 0.5 набагато вище, ніж очікувалося для звичайних надпровідників. Магнітне поле пригнічує особливості андріївського відбиття, але надпровідна щілина помірно зменшується, як раніше спостерігалося в надпровідниках другого роду, включаючи нікелеві борокарбіди та надпровідники на основі заліза. Цікаво, що надпровідність в n-допованому Ge з аналогічною концентрацією легованих домішок нами не спостерігалась.