Влияние размерного квантования на электронные спектры графеновых нанолент

Анотація

Розраховано та проаналізовано повні густини електронних станів в графенових нанострічках з границями різної хіральності, а також локальні густини електронних станів окремих атомів цих нанострічок. Показано наявність гострих резонансних піків поблизу фермієвського рівня на повних густинах електронних станів графенових наносмуг з zig-zag границями, до того ж ці піки проявляються тільки на локальних густинах атомів тієї підґратки, яка безпосередньо виходить на найближчу границю (тобто, атоми якої відчувають обрив зв’язків). В спектрах графенових наносмуг з границями хіральності armchair, що містять число ліній кратне трьом, або дає при діленні на три остачу один, виникають напівпровідникові щілини, ширина яких залежить тільки від ширини даної нанострічки й однакова для всіх її атомів. Для електронних спектрів графенових наносмуг з границями хіральності armchair, що містять число ліній, яке при діленні на три дає остачу два, характерна металева поведінка, але в цьому випадку на локаль-них густинах станів атомів ряду ліній таких наносмуг спостерігаються напівпровідникові щілини.