Связь волн зарядовой плотности и сверхпроводящего состояния в двухжидкостной модели сверхпроводимости ВТСП

Анотація

В межах дворідинної моделі утворення надпровідного (НП) стану зроблено аналіз фізичних властивостей різних типів ВТНП у залежності від різного розташування НП щілин Δ та Δ₁ в енергетичному спектрі. У даній моделі при допуванні киснем у CuO₂-площинах хвилі зарядової щільності (ХЗЩ), що утворюються в системі аніонів кисню, за допомогою коливань іонів Cu при T * перетворюються на локальні електронні пари (ЛЕП). При T_c < T * ЛЕП створюють СП стан і щілину Δ₁. Крім того, відбувається перебудова p- та d-зон. Заборонена зона ΔE зменшується. При ΔE ∼ Δ₁ за допомогою теплового збудження відбувається перекидання ЛЕП, які розпадаються, зі зайнятих станів p-зони аніонів кисню у вільну d-підзону іонів Cu, в якій СП стан і щілина Δ d-типу можуть бути пов’язані з антиферомагнітними (АФ) флуктуаціями. У тунельних експериментах без аніонів кисню та іонів Cu, що коливаються, ЛЕП відчувають сильне кулонівське відштовхування електронів. Тому ЛЕП та, відповідно, Δ₁ будуть сильно спотворені на відміну від незначного змінення куперівських пар звичайних надпровідників у подібних експериментах. ЛЕП певно перетворюються в інший стан, який можна назвати як стан типу ХЗЩ з псевдощілиною Σ. Необхідно також враховувати незначні зміни електронних пар та другої щілини Δ, які створені за допомогою антиферомагнітних флуктуацій.