Bi2Ne: Weakly bound cluster of diatomic bismuth with neon
Автор(и)
A. Endo
Department of Chemistry, School of Science and Engineering, Kindai University, Higashi-Osaka 577-8502, Japan
M. Hatanaka
Institute for Research Initiatives, Graduate School of Science and Technology, and Data Science Center, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Ikoma 630-0192, Japan
N. Ueno
Department of Chemistry, School of Science and Engineering, Kindai University, Higashi-Osaka 577-8502, Japan
Y. Morisawa
Department of Chemistry, School of Science and Engineering, Kindai University, Higashi-Osaka 577-8502, Japan
T. Wakabayashi
Department of Chemistry, School of Science and Engineering, Kindai University, Higashi-Osaka 577-8502, Japan
За допомогою лазерно-індукованої флуоресценції у твердому Ne при температурі 3 К вивчено перехід у двоатомному вісмуті Bi2. Встановлено, що молекулярні константи, тобто коливальні частоти 137 cм–1 та 174 cм–1 для верхнього і нижнього електронних станів відповідають даним, які отримані Bondybey et al. [Chem. Phys. Lett. 76, 30 (1980)]. Двовимірна картина спектру випромінювання підтвердила наявність смуг-сателітів, які відповідні за більш високу і більш низьку енергії збудження/випромінювання для кожної з основних смуг коливального ряду v′–v″ (v′ = 0–5, v″ = 5–12). На підставі молекулярно-орбітальних розрахунків припускається, що спостережені сателіти обумовлені присутністю кластерів Bi2Nen (n = 1–6). Відносно велике матричне зміщення ~ 67 cм–1 у твердому Ne для терма енергії в стані A може свідчити про існування двоатомного вісмуту у вигляді лінійно скоординованого кластера Bi2Nen (n = 1–6) в матриці.