Tunneling conductance of the s-wave and d-wave pairing superconductive graphene–normal graphene junction

Анотація

У рамках формалізму Блондера–Тинкхема–Клапвійка розраховано та проаналізовано провідність контакту: нормальний графен–надпровідний графен із s-хвильовим і незалежно d-хвильовим спарюванням. Власні функції, коефіцієнти андріївського та нормального відбивання одержані за допомогою розв’язку рівнянь Дірака–Боголюбова–де Жена. Розглянуто випадки безщільового та щільового графену для обох ситуацій: s-хвильового і незалежно d-хвильового спарювання. Показано, що характеристики даного контакту є чутливими до відношення v_FN/v_FS, де v_FN, v_FS — швидкості Фермі в нормальному та надпровідному графені відповідно. Цей результат стосується як андріївського, так і нормального відбивання. Перший з них є визначальним процесом у формуванні провідності. Зроблені висновки справедливі для довільного орієнтаційного кута d-хвиль. У кожного з розглянутих чотирьох випадків: s-, d-спарювання, щільового та безщільового графена, свої особливості провідності. У кожному випадку проаналізовано залежність провідності від зовнішнього електростатичного потенціалу та від енергії Фермі. Одержані результати можуть бути корисними для регулювання транспортних властивостей контакту: нормальний графен–надпровідний графен.