Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.5082322Ключові слова:
топологический изолятор, ARPES спектр, рассеяние электронов.Анотація
Особливістю топологічних ізоляторів є наявність електронних топологічно захищених квазічастинкових поверхневих станів, винятково стійких до наявності домішок, однак структуру спектра розсіяння поверхневих квазічастинок вивчено слабко. Мета роботи — визначення структури власної енергії поверхневих станів з аналізу фотоемісійних спектрів. Зокрема, детально досліджено уширення цих станів в залежності від енергії зв’язку у Bi2Se3 та Bi2Te2Se — найбільш досліджених топологічних ізоляторах. Виявлена сходинкова структура уширення дозволила виділити внески пружного та непружного міжзонного розсіяння (поверхня–об’єм) до квазічастинкової власної енергії та показати, що воно порівнянне з пружним внутрішньозонним розсіянням.
Downloads
Опубліковано
2018-11-16
Як цитувати
(1)
Ю.В. Топоров and А.А. Кордюк, Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах, Low Temp. Phys. 45, (2018) [Fiz. Nizk. Temp. 45, 134-139, (2018)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.5082322.
Номер
Розділ
Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.