Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения

Анотація

Проведено исследование однофотонного сверхизлучения при циклотронном резонансе в идеальной монокристаллической полупроводниковой пленке p-типа с кубической структурой, помещенной в однородное статическое сильное магнитное поле, перпендикулярное к поверхности пленки. Рассмотрение проведено при низкой температуре, когда плотность дырок на уровне Ландау n = 0 равна максимально возможной величине, а плотность дырок на уровне Ландау n = 1 равна нулю. С помощью уравнения Линдблада для матрицы плотности рассчитана плотность тока в пленке и исследованы параметры элект-ромагнитного поля излучения пленки в режиме насыщения, когда напряженность электрического поля возбуждения велика. Показано, что универсальная мощность потерь, приходящаяся на единицу площади пленки, зависит только от фундаментальных постоянных c, q_e, m_e и индукции магнитного поля. Приведен расчет проводимости пленки.