О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах

Автор(и)

  • О.А. Ильинская Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.5049164

Ключові слова:

наноэлектромеханические системы, одноэлектронное туннелирование, коэффициент трения.

Анотація

Предложен новый механизм трения в наноэлектромеханических системах. Рассмотрена модель подвижного квантового дота, находящегося в электрическом поле и туннельно связанного с резервуаром электронов, поддерживаемом при постоянной температуре. Методом кинетических уравнений в рамках теории возмущений по параметру отношения ширины уровня к температуре показано, что в системе возникает внутреннее трение с немонотонной температурной зависимостью. Обсуждается возможность применения полученного результата для нахождения области неустойчивости в шаттловских системах.

Downloads

Опубліковано

2018-06-19

Як цитувати

(1)
Ильинская, О. О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах. Fiz. Nizk. Temp. 2018, 44, 1041-1044.

Номер

Том 44 № 8 (2018)

Розділ

Наноструктури при низьких температурах

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.