О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.5049164Ключові слова:
наноэлектромеханические системы, одноэлектронное туннелирование, коэффициент трения.Анотація
Предложен новый механизм трения в наноэлектромеханических системах. Рассмотрена модель подвижного квантового дота, находящегося в электрическом поле и туннельно связанного с резервуаром электронов, поддерживаемом при постоянной температуре. Методом кинетических уравнений в рамках теории возмущений по параметру отношения ширины уровня к температуре показано, что в системе возникает внутреннее трение с немонотонной температурной зависимостью. Обсуждается возможность применения полученного результата для нахождения области неустойчивости в шаттловских системах.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2018-06-19
Як цитувати
(1)
Ильинская, О. О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах. Fiz. Nizk. Temp. 2018, 44, 1041-1044.
Номер
Розділ
Наноструктури при низьких температурах