Приведены результаты теоретического исследования возможности локализации дырочных носителей и металл–диэлектрик переходов, которые проявляются в температурных зависимостях магнитной вос-приимчивости χ(T) легированных медно-оксидных (купратных) соединений. Проанализированы крите-рии металл–диэлектрик переходов, вызванных сильным дырочно-решеточным взаимодействием и образованием предельно узких поляронных зон в этих материалах с уменьшением уровня их легирования х. Показано, что такие металл–диэлектрик переходы в легированных купратах La2–xSrxCuO4 и YBa2Cu3O6+x происходят в недолегированном режиме (т.е. когда х изменяется от 0,04 до 0,12). Определены характер-ные температурные зависимости χ(T) в ВТСП купратах при различных уровнях их легирования. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными по металл–диэлектрик переходам и магнитной восприимчивости в ВТСП купратах.