Об эквивалентности двух моделей вакансии в применении к электронному спектру материалов с сотовой решеткой

Автор(и)

  • Ю.В. Скрипник Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины бульвар Акад. Вернадского, 36, г. Киев, 03680, Украина
  • В.М. Локтев Институт теоретической физики им. М.М. Боголюбова НАН Украины ул. Метрологическая, 14-б, г. Киев, 03680, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4961016%20

Ключові слова:

графен, вакансия, электронная структура, плотность состояний.

Анотація

На основе метода сильной связи рассмотрена задача о функции Грина для содержащего вакансию материала с сотовой структурой кристаллической решетки. Проанализированы известные и сравнительно часто используемые модели для описания единичной вакансии и аналитически продемонстрирована их эквивалентность. Показано также, что вклады в плотность квазичастичных состояний от обеих подрешеток сотовой решетки совершенно одинаковы, за исключением нулевой энергии, независимо от того, в какой из подрешеток находится вакансия.

Downloads

Опубліковано

2016-06-21

Як цитувати

(1)
Скрипник, Ю.; Локтев, В. Об эквивалентности двух моделей вакансии в применении к электронному спектру материалов с сотовой решеткой. Fiz. Nizk. Temp. 2016, 42, 863-869.

Номер

Том 42 № 8 (2016)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 5 > >>