Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации

Анотація

В кристалле KI–Tl по регистрации спектров рентгенолюминесценции установлено воздействие низкотемпературной одноосной деформации на длину свободного пробега экситона до автолокализации. Анализ соотношения интенсивностей свечения таллиевого (2,85 эВ) и автолокализованного экситонов (π-компонент; 3,3 эВ) в зависимости от степени низкотемпературной деформации показывает, что в кристалле KI–Tl (3·10^–3 моль%) длина свободного пробега экситона до автолокализации соизмерима с межталлиевым расстоянием (20–27)a при деформации ε = 2%, а c ростом степени сжатия ε ≥ 2–5% уменьшается до (27–5,35)a. Результаты моделирования на основе континуального приближения показывают, что с ростом температуры и степени низкотемпературной деформации происходит уменьшение высоты потенциального барьера для автолокализации экситона, что согласуется с сокращением длины пробега свободного экситона в кристалле KI–Tl.