Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины

Пористые и низкоразмерные структуры

Анотація

Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетеро-структурах Si_0,7Ge_0,3/Si_0,2Ge_0,8/Si_0,7Ge_0,3, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых магнитных полях обнаружено проявление эффекта слабой локализации двумерных носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния и времени неупругого рассеяния, что свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). В более сильных магнитных полях в случае заселения одного квантового уровня проявляются эффекты взаимодействия, обусловленные кулоновским взаимодействием с рассеивателем. В случае заселения двух квантовых уровней доминирующим оказывается механизм рассеяния на фриделевских осцилляциях плотности носителей заряда, обусловленных электрическим полем примеси. Во всех областях поведение квантовых поправок хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям.