Ползучесть твердого 4Не при температурах ниже 1 К
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4915914%20Ключові слова:
твердый 4Не, диффузионная ползучесть, механические напряжения.Анотація
В области температур ~ 100–1000 мК проведено экспериментальное исследование ползучести твердого 4Не путем регистрации перетекания гелия через вмороженную пористую мембрану под действием постоянной внешней силы. Измерены кривые ползучести при различных температурах и механических напряжениях. Использованная методика позволила зарегистрировать малые скорости ползучести гелия вплоть до самых низких температур данного эксперимента. Обнаружено, что во всей области температур процесс ползучести является термоактивированным, а энергия активации уменьшается с понижением температуры и ростом механического напряжения. Проведенный анализ свидетельствует о том, что при температурах выше ≈ 500 мК в твердом гелии реализуется диффузионная ползучесть типа Набарро–Херринга, когда массоперенос осуществляется путем самодиффузии атомов и потока вакансий в противоположном направлении. Полученные данные позволили найти коэффициент самодиффузии в зависимости от температуры при различных напряжениях. При температурах ниже ≈ 500 мК процесс ползуче-сти осуществляется с очень малой скоростью переноса (~ 10–13 см/с) и очень низкой энергией активации(~ 0,5–0,7 К), а сам механизм ползучести пока остается неясным.
Downloads
Опубліковано
2015-01-23
Як цитувати
(1)
В.А. Жучков, А.А. Лисунов, В.А. Майданов, А.С. Неонета, В.Ю. Рубанский, С.П. Рубец, Э.Я. Рудавский, and С.Н. Смирнов, Ползучесть твердого 4Не при температурах ниже 1 К, Low Temp. Phys. 41, (2015) [Fiz. Nizk. Temp. 41, 223-232, (2015)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4915914 .
Номер
Розділ
Квантові рідини та квантові кристали
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.