Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS2 в присутствии примесей лантана

Автор(и)

  • МirHasan Yu. Seyidov Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze 41400, Kocaeli, Turkey
  • Rauf A. Suleymanov Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze 41400, Kocaeli, Turkey
  • Elif Acar Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze 41400, Kocaeli, Turkey
  • А.П. Одринский Институт технической акустики НАН Беларуси, пр. Людникова, 13, г. Витебск, Беларусь
  • Т.Г. Мамедов Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, г. Баку, AZ-1143, Азербайджан
  • А.И. Наджафов Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, г. Баку, AZ-1143, Азербайджан
  • В.Б. Алиева Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, г. Баку, AZ-1143, Азербайджан

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4896726%20

Ключові слова:

фазовые переходы, несоизмеримая фаза, фотоактивированная примесь, электретная поляризация.

Анотація

Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS2. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS2:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2014-07-16

Як цитувати

(1)
Seyidov М. Y.; Suleymanov, R. A.; Acar, E.; Одринский, А.; Мамедов, Т.; Наджафов, А.; Алиева, В. Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS2 в присутствии примесей лантана. Fiz. Nizk. Temp. 2014, 40, 1062-1070.

Номер

Том 40 № 9 (2014)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках