Особенности температурного поведения ЭПР спектров селенида ртути, легированного железом

Анотація

Исследованы образцы разбавленных магнитных полупроводников HgSe:Fe c концентрациями 2·10¹⁸ см^–3 < N_Fe <3·10¹⁹ см^–3 в интервале температур 77 К < T < 300 К методом ЭПР. С помощью микроструктурного анализа показано, что ионы железа однородно распределены в объеме исследуемых образцов HgSe: Fe и не формируют вокруг себя области с кристаллической структурой, отличной от структуры цинковой обманки. На основании расчетов g-факторов показано: источником сигнала ЭПР являются ионы Fe³⁺, занимающие тетраэдрические позиции в образцах HgSe; форма спектров ЭПР является результатом совместного влияния искажений тетраэдрического окружения ян-теллеровского типа и смещений иона железа из центра тетраэдра; изменение формы спектра при увеличении концентрации объясняется в рамках модели формирования регулярной решетки заряженных доноров. По максимуму температурной зависимости ширины линии ЭПР для образцов с разными концентрациями железа определена температура образования регулярной решетки примесных ионов.