Оценка времени испарения сюрфонов с поверхности жидкого гелия из-за рассеяния на риплонах

Автор(и)

  • А.Д. Григорьев Самарский государственный университет, ул. Ак. Павлова, 1, г. Самара, 443011, Россия
  • П.Д. Григорьев Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, пр. Ак. Семенова, 1-А, г. Черноголовка, 142432, Россия
  • А.М. Дюгаев Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, пр. Ак. Семенова, 1-А, г. Черноголовка, 142432, Россия
  • А.Ф. Крутов Самарский государственный университет, ул. Ак. Павлова, 1, г. Самара, 443011, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4766586

Ключові слова:

жидкий гелий, поверхностные возбуждения, сюрфоны, риплоны.

Анотація

Недавно предложенный новый тип поверхностных возбуждений — атомы на квантовом поверхностном уровне, названные сюрфонами, — позволяет объяснить сильную температурную зависимость коэффициента поверхностного натяжения жидкого гелия. Теоретически исследовано взаимодействие этих возбуждений с квантами поверхностных волн — риплонами. Получена оценка времени жизни сюрфона по основному каналу распада — испарению с поверхности из-за поглощения риплона. Это время жизни сюрфона оказывается значительно больше периода его квантовых колебаний (обратной энергии сюрфона), что подтверждает существование сюрфонов как квазичастиц.

Downloads

Опубліковано

2012-09-14

Як цитувати

(1)
А.Д. Григорьев, П.Д. Григорьев, А.М. Дюгаев, and А.Ф. Крутов, Оценка времени испарения сюрфонов с поверхности жидкого гелия из-за рассеяния на риплонах, Low Temp. Phys. 38, (2012) [Fiz. Nizk. Temp. 38, 1274-1283, (2012)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4766586.

Номер

Том 38 № 11 (2012)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.