Оценка времени испарения сюрфонов с поверхности жидкого гелия из-за рассеяния на риплонах

Автор(и)

  • А.Д. Григорьев Самарский государственный университет, ул. Ак. Павлова, 1, г. Самара, 443011, Россия
  • П.Д. Григорьев Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, пр. Ак. Семенова, 1-А, г. Черноголовка, 142432, Россия
  • А.М. Дюгаев Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, пр. Ак. Семенова, 1-А, г. Черноголовка, 142432, Россия
  • А.Ф. Крутов Самарский государственный университет, ул. Ак. Павлова, 1, г. Самара, 443011, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4766586

Ключові слова:

жидкий гелий, поверхностные возбуждения, сюрфоны, риплоны.

Анотація

Недавно предложенный новый тип поверхностных возбуждений — атомы на квантовом поверхностном уровне, названные сюрфонами, — позволяет объяснить сильную температурную зависимость коэффициента поверхностного натяжения жидкого гелия. Теоретически исследовано взаимодействие этих возбуждений с квантами поверхностных волн — риплонами. Получена оценка времени жизни сюрфона по основному каналу распада — испарению с поверхности из-за поглощения риплона. Это время жизни сюрфона оказывается значительно больше периода его квантовых колебаний (обратной энергии сюрфона), что подтверждает существование сюрфонов как квазичастиц.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2012-09-14

Як цитувати

(1)
Григорьев, А.; Григорьев, П.; Дюгаев, А.; Крутов, А. Оценка времени испарения сюрфонов с поверхности жидкого гелия из-за рассеяния на риплонах. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 38, 1274-1283.

Номер

Том 38 № 11 (2012)

Розділ

Статті