Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO4)2 методом рамановского рассеяния света

Автор(и)

  • А.В. Песчанский Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины, пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.И. Фомин Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины, пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.В. Еременко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины, пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4723666

Ключові слова:

низкоэнергетическое электронное возбуждение, фонон.

Анотація

Исследован спектр рамановского рассеяния света в монокристалле KTb(WO4)2 в области частот 3–950 см–1 при температуре 5 К. Обнаружены все компоненты основного мультиплета 7F6 иона Tb3+, расщепленного в кристаллическом поле с симметрией С2. Установлено, что первый возбужденный электронный квазидублет состоит из двух синглетных уровней с разной симметрией и отделен щелью ~75 см–1 от основного квазидублета. Исследовано поведение всех экспериментально обнаруженных уровней во внешнем магнитном поле H ^ С2 и H || С2. Определены факторы спектроскопического расщепления для основного и возбужденных уровней иона тербия в кристалле KTb(WO4)2. Результаты исследований подтверждают, что при низких температурах реализуется случай изинговской анизотропии и исследуемый магнетик можно считать системой двухуровневых магнитных ионов.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2012-04-06

Як цитувати

(1)
Песчанский, А.; Фомин, В.; Еременко, А. Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO4)2 методом рамановского рассеяния света. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 38, 616-626.

Номер

Том 38 № 6 (2012)

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 > >>