Квадратичная температурная зависимость магнитосопротивления чистых монокристаллов вольфрама в условиях статического скин-эффекта

Тонкие пленки

Анотація

В интервале температур от 2 до 75 К и в магнитных полях до 80 кЭ измерено поперечное магнитосопротивление монокристаллов вольфрама с отношением сопротивлений ρ_{293 К} / ρ_{4,2 К} ≈ 75 000. В этих «размерных» кристаллах при низких температурах обнаружена квадратичная температурная зависимость магнитосопротивления ρ_xx. Показано, что наблюдаемая квадратичная зависимость ρ_xx(T) возникает в условиях статического скин-эффекта и является проявлением интерференционного механизма рассеяния «электрон–фонон–поверхность», как в чистых металлах без магнитного поля. Предложено качественное объяснение наблюдаемой зависимости.